ＧａＮ基板の製造方法

国立大学法人山口大学

山口県山口市吉田１６７７−１

この技術でできること

ベース基板を高温窒化処理し、HVPE法で高結晶品質のGaNを成長。次世代パワーデバイスや光デバイスの性能向上に貢献します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、HVPE（ハイドライド気相成長法）を用いて高品質なGaN基板を製造する新しい方法に関するものです。従来、非半導体基板上にGaNを成長させる際、界面の結晶性が低いため、欠陥密度が高く性能に影響を与えるという課題がありました。本発明では、まずベース基板の非半導体表面を1000℃を超える高温下で窒化処理します。この際、N₂ガスおよびNH₃ガスを用いることで、基板表面に窒化層を形成。その後、N₂をキャリアガスとするHVPE法により、基板上にGaNを結晶成長させます。この工程により、非半導体基板から直接、結晶品質の高いGaNを成長させることが可能となり、従来よりも欠陥密度を低減した高性能基板が得られます。本技術は、パワーエレクトロニクスや高効率LED、レーザーダイオードなどのデバイス開発において重要な基盤技術であり、低コスト化と高信頼性の両立を実現するものです。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 GaNパワー半導体結晶成長

次世代パワー半導体基板

高耐圧・高効率が求められるGaNパワーデバイス用基板として活用する。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2021-028851
発明の名称: ＧａＮ基板の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人山口大学
住所: 山口県山口市吉田１６７７−１
公開番号: 特開2022-129954
登録番号: 特許第7704395号

登録情報の修正申請