遷移金属カルコゲナイド層状膜の形成方法およびそのための装置

国立研究開発法人物質・材料研究機構

掲載画像・国立研究開発法人物質・材料研究機構

この技術でできること

酸化物を気化して再構成。大面積・低コストで高品質な遷移金属カルコゲナイド（TMD）層を形成する、東芝の新しい気相合成プロセスです。

相談したいこと

技術の特徴

本特許（JP 2022-037889 A）は、大面積かつ低コストで高品質な遷移金属カルコゲナイド（TMD: Transition Metal Dichalcogenide）層状膜を形成する方法に関するものです。TMDは、次世代トランジスタ・光デバイス・センサー材料として注目されていますが、従来のCVD（化学気相成長）やスパッタ法では、膜厚制御が難しく、均一性や成膜コストが課題でした。本発明では、遷移金属ブロックを酸化し、その表面に遷移金属酸化物層を形成。次に、その酸化物を昇華させ、専用配管を介して第1の不活性キャリアガスとともに酸化物ガスを基板上に供給します。同時に、カルコゲン原子（S, Se, Teなど）を含む反応性ガスを第2の不活性キャリアガスとともに導入し、基板を加熱。これにより、気相中で酸化物ガスとカルコゲンガスが反応して高結晶性のTMD層状膜が生成されます。高制御性・高安定性を兼ね備え、半導体製造・光電デバイス製造などへの応用が期待される技術です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2021-105480
発明の名称: 遷移金属カルコゲナイド層状膜の形成方法およびそのための装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号: 特開2022-037889
登録番号: 特許第7656914号

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