評価方法、評価システム、及び半導体素子の製造方法

国立大学法人福井大学

この技術でできること

フランツ・ケルディッシュ効果で、界面電界を読み取る。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体素子における電極と半導体との界面での電界分布を高精度に評価する評価方法および評価システムに関する技術である（要約1頁参照）。電界印加ステップでは、ショットキー電極と半導体との界面に対し、フランツ・ケルディッシュ効果が発現し得る電界を印加する。続く第1走査ステップでは、電界を印加した状態で、半導体のバンドギャップより小さいエネルギーを有し、かつ電極径より小さいビーム径の光L1を照射しながら界面を少なくとも1次元的に走査する（図3参照）。その間に発生する光電流を計測する第1評価ステップにより、界面における局所的な電界分布を取得する。電気的測定と光学的走査を組み合わせることで、従来よりも精度良く界面電界を可視化でき、半導体素子の設計最適化や品質評価に有効な技術である。

AIによる特許活用案

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ショットキー界面の電界分布を精密に解析し、耐圧特性や信頼性向上に活用する。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2021-086773
発明の名称: 評価方法、評価システム、及び半導体素子の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人福井大学
公開番号: 特開2022-179946
登録番号: 特許第7648144号
特許取得国: US

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