薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタ

日本放送協会

この技術でできること

表面の“濡れ性”を使って電極を自動形成。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、真空装置を使用せず、かつ半導体層にダメージを与えることなくソース電極およびドレイン電極を形成可能な薄膜トランジスタ（TFT）の製造方法に関する技術である（1頁要約参照）。本発明では、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層を形成した後、有機シラン化合物分散溶液を塗布して電極パターニング膜を形成する。その後、電極形成領域に親水化処理を施し、親水領域を形成する。続いて導電材料を分散させた電極形成用溶液を塗布すると、疎水効果と親水効果の差により、親水領域にのみ導電材料が集まりソース電極およびドレイン電極が形成される。これにより、従来必要だった真空プロセスを省略しつつ、半導体層を損傷させない電極形成が可能となる。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2021-017542
発明の名称: 薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタ
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2022-120569
登録番号: 特許第7634381号

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