新世代の光電子デバイス製造へ、ナノ柱状結晶の製造方法

国立大学法人秋田大学

秋田県秋田市手形学園町１－１

この技術でできること

窒化物半導体の結晶基板の製造方法を用いて、非単結晶基板上に垂直に配向するナノ柱状結晶を形成

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、窒化物半導体の結晶基板の製造方法を提供します。これは特に、非単結晶基板上に垂直に配向するナノ柱状結晶を形成するためのものです。窒化物半導体は高効率の光電子デバイスの実現が可能で、LEDやレーザーダイオードなどの光電子デバイスの開発に広く活用されています。しかし、非単結晶基板上での単結晶薄膜の成膜は難しく、ナノ結晶構造の利用がこの問題を解決する方法の一つと考えられています。本発明により、多結晶Si基板上での窒化ガリウム（GaN）ベースの半導体のナノ柱状結晶の成長が可能となり、大面積光デバイスなどのアプリケーションに適用できます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業光学機器製造業

高効率光電子デバイスの製造

本発明の窒化物半導体の結晶基板製造方法を利用して、高効率の光電子デバイスを製造する。具体的には、非単結晶基板上にナノ柱状結晶を成長させることで、独自の光電子デバイスを開発する。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-210212
発明の名称: 窒化物半導体の結晶基板の製造方法及び窒化物半導体の結晶基板
出願人／権利者: 国立大学法人秋田大学
住所: 秋田県秋田市手形学園町１－１
公開番号: 特開2021-080137
登録番号: 特許第7406790号

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