革新的な半導体装置・製造方法の提案

国立大学法人　筑波大学

茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階

この技術でできること

低温熱処理での半導体装置製造技法を特許化

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、半導体装置とその製造方法に関するものです。特に、絶縁体上に薄膜を合成する際の熱処理温度を管理することで、さまざまな電子デバイスの性能向上と製造コストの削減を可能にします。具体的には、Si、Geなどの半導体材料の固相成長法を用いて、絶縁体上に半導体膜を形成し、その後、熱処理を行うことで半導体膜の結晶化を促進します。この熱処理は、製造過程の第一工程では350℃以下、第二工程では150℃以下の温度で行うことが特徴となっています。これにより、半導体膜の品質を確保しつつ、製造プロセスの効率化とコスト削減が可能になります。

AIによる特許活用案

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高性能電子デバイスの製造

この特許技術を活用して、高性能な電子デバイスを製造することが可能です。低温熱処理を利用することで、高品質な半導体膜を生成し、それを用いた電子デバイスは高い性能を発揮します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2021-007370
発明の名称: 半導体装置とその製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人　筑波大学
住所: 茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階
公開番号: 特開2021-061451
登録番号: 特許第7360180号

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