未来のエネルギー効率を変えるダイヤモンド半導体装置

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

ダイヤモンドを用いた半導体装置で、高効率なエネルギー利用と高速動作を実現します。

相談したいこと

技術の特徴

本技術は、特にダイヤモンド半導体を用いたMIS型半導体装置とその製造方法に関するものです。ダイヤモンド半導体は、広いバンドギャップエネルギー、低い比誘電率、高い絶縁破壊電界強度、高いキャリア飽和速度、高い熱伝導率、高いキャリア移動度などを有しており、大電力動作、高速・高周波動作、高耐圧、高い熱限界を示します。水素終端のダイヤモンド半導体は、工程数を削減でき、高い品質を得やすい特徴があります。また、半導体ダイヤモンドの表面が水素終端されると、ダイヤモンド半導体の表面近傍に電気伝導領域が存在するようになり、p型の半導体になる可能性があります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業エネルギー業自動車業

高性能インバータの製造

ダイヤモンド半導体を用いたMIS型半導体装置は、高性能インバータの製造に活用できます。高速動作と高い熱限界を活かし、省エネルギーで効率的なインバータを製造することが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2019-166729
発明の名称: ＭＩＳ型半導体装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2021-044460
登録番号: 特許第7373838号

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