電力消費を低減する革新的な半導体構造制御方法

学校法人金沢工業大学

石川県野々市市扇が丘７－１

この技術でできること

本特許は、低消費電力化を実現する半導体構造とその制御方法に関するものです。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、電力消費を低減するための新たな半導体構造およびその制御方法について説明しています。この半導体構造は、ボディコンタクト部とソースおよびドレインとの間に、ボディコンタクト部の不純物の型と反対の型の半導体層を備えています。さらに、この半導体構造の制御方法は、第1ゲート電圧、第2ゲート電圧、およびボディ電圧をほぼ同時にターンオフすることを特徴としています。この構造・制御方法の採用により、従来の半導体デバイスよりも低い電源電圧でのスイッチングが可能となり、電力消費を大幅に削減することができます。この技術は、電力効率の向上やデバイスの小型化を求めるさまざまな産業分野で有用であると考えられます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業IT産業

電力消費の削減

本特許技術を用いることで、電源電圧を低減し、より低い電力でのスイッチングが可能となる。これにより、電子機器の電力消費を大幅に削減することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-147580
発明の名称: 半導体構造および半導体構造の制御方法
出願人／権利者: 学校法人金沢工業大学
住所: 石川県野々市市扇が丘７－１
公開番号: 特開2021-028943
登録番号: 特許第7355300号

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