高品質な半導体基板の製造を実現する革新的な技術

国立大学法人山口大学

山口県山口市吉田１６７７−１

この技術でできること

化学気相成長法を利用した高品質なIII族窒化物半導体基板の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、化学気相成長法により半導体基板を製造する際に、反りの発生を抑制する手法を提供します。具体的には、高い結晶成長温度でIII族窒化物半導体を結晶成長させて中間半導体層を形成し、その上にさらに高い結晶成長温度でGaNを結晶成長させてメイン半導体層を形成します。中間半導体層はInGaNとGaNの交互の積層構造を有する半導体超格子を含み、その積層数は5以上10以下です。この技術により、半導体基板の製造における反りの発生を抑制し、品質の高い半導体基板を低コストで製造することが可能となります。

AIによる特許活用案

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高品質な半導体製品の製造

この特許の技術を活用することで、高品質な半導体製品の製造が可能となります。製造コストを抑えつつ、製品の品質を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-108822
発明の名称: 半導体基板及びその製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人山口大学
住所: 山口県山口市吉田１６７７−１
公開番号: 特開2020-200222
登録番号: 特許第7396614号

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