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効率的なパワーデバイスと制御用電子装置の未来

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現1-2-1

この技術でできること

半導体装置を利用した高性能なパワーデバイスおよび制御用電子装置の開発

技術の特徴

本特許は、半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置に関するもので、特に低消費電力化および高スイッチング特性を有する装置の開発に焦点を当てています。これらの装置は産業用途だけでなく、民生用途にも広く使用されるため、その性能向上は社会全体の利益につながります。特に、ダイヤモンド半導体はその優れた物理的特性を活かし、大電力動作、高速・高周波動作において期待されています。また、金属元素、TiまたはCoからなるゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する半導体装置についても言及しています。

関連キーワード

半導体装置パワーデバイス制御用電子装置低消費電力化高スイッチング特性

AIによる特許活用案

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高性能パワーデバイスの開発

本特許の技術を活用して、高性能なパワーデバイスを開発することが可能です。特に、ダイヤモンド半導体の高いキャリア移動度を利用することで、大電力動作や高速・高周波動作が可能なデバイスを作成することができます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号
特願2019-057963
発明の名称
半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置
出願人/権利者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所
茨城県つくば市千現1-2-1
公開番号
特開2020-161587
登録番号
特許第7195539号
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