革新的な半導体基板の製造方法

国立大学法人山口大学

山口県山口市吉田１６７７−１

この技術でできること

高品質なGaN基板製造のためのユニークな製造プロセス

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、高効率の発光デバイスやパワーデバイスの製造に適した高品質なGaN基板の製造方法に関するものです。具体的には、下地基板上に複数のGaNの三角ファセット構造を形成し、相互に隣接する三角ファセット構造間の凹部を埋め込むように第1厚膜成長層を形成します。その上に、各三角ファセット構造の上に逆三角形の第2厚膜成長層を形成し、相互に隣接する第2厚膜成長層を合体させて第1厚膜成長層を埋設します。この製造方法は、転位密度の低い高品質なGaN基板を得ることが可能であり、光や電力の効率を大幅に改善することが期待されます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業光学機器製造業

高効率な発光デバイスの製造

本特許の製造方法を用いて作られた高品質なGaN基板は、LEDやレーザダイオードなどの高効率な発光デバイスの製造に利用することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-029358
発明の名称: 半導体基板の製造方法及びそれに用いる下地基板
出願人／権利者: 国立大学法人山口大学
住所: 山口県山口市吉田１６７７−１
公開番号: 特開2020-132482
登録番号: 特許第7284983号

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