電子部品
高性能複合超伝導体の製造方法
国立大学法人九州工業大学
福岡県北九州市戸畑区仙水町１番１号
この技術でできること
金属薄層と超伝導体層を積層する新技術により、多様な形状を実現。超伝導体の割合を高めた複合超伝導体で、性能と製造効率を飛躍的に向上させます。
相談したいこと
技術の特徴
本発明は、超伝導体の割合を高めた多様な形状の複合超伝導体およびその製造方法に関するものです。特に、金属薄層と超伝導体層を積層することで、性能と形状の自由度を両立させた新しい複合超伝導体を提供します。
主な構成要素と機能
- 金属薄層：
- 金属薄層（32a）は、超伝導体層（14）と積層されており、複合超伝導体の構成要素の一つです。
- 超伝導体層：
- 超伝導体層（14）は、金属薄層と積層されており、複合超伝導体の主要な機能部分を形成します。
- 未研磨積層体：
- 未研磨金属層（12）とその上に形成された超伝導体層（14）を含む未研磨積層体（11）。
動作原理
この製造方法では、未研磨金属層（12）とその上に形成された超伝導体層（14）を含む未研磨積層体（11）の未研磨金属層の超伝導体層と反対側の面（12S）の少なくとも一部を研磨します。これにより、金属薄層（32a）とその上に形成された超伝導体層（14）を含む単位積層領域（30R）が形成されます。このプロセスを繰り返すことで、高性能かつ多様な形状の複合超伝導体が得られます(JPA 2023136766-000001)。
利点
- 高い性能：超伝導体の割合を高めることで、高い性能を発揮。
- 形状の自由度：多様な形状の複合超伝導体を製造可能。
- 効率的な製造：効率的な積層プロセスにより、製造コストを抑制。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高性能電子デバイス
高性能な超伝導特性を持つ電子デバイスの製造に応用し、性能を向上させます。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。
権利概要
- 出願番号
- 特願2022-042640
- 発明の名称
- 複合超伝導体およびその製造方法
- 出願人／権利者
- 国立大学法人九州工業大学
- 住所
- 福岡県北九州市戸畑区仙水町１番１号
- 公開番号
- 特開2023-136
- 特許取得国
- JP