省エネで高速な磁気メモリー素子！

国立大学法人信州大学

長野県松本市旭３丁目１−１

この技術でできること

電流駆動の問題を解消し、省エネで高速な磁気メモリ素子を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、磁壁または磁気スキルミオンの状態に関する磁気メモリ素子で、磁性細線、磁性細線に接し磁性細線の延在する方向に沿って離間して設けられた第1電極および第2電極、磁性細線と第3電極との間に設けられ磁性細線に接しかつ第3電極に接する絶縁層と、磁性細線に近接して配置された少なくとも1つの磁界センサを備えています。これにより、従来の電流駆動方式の問題であった大きな電流が必要で消費電力が大きいという問題を解消し、省エネで高速な磁気メモリ素子を実現します。また、磁壁だけでなく、電子スピンが渦中心に並んだナノスケールの磁気構造体である磁気スキルミオンを発生でき、これを電界により駆動制御できることも見出しています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業コンピュータ製造業データセンター

データセンターの省エネ化

省エネ化が求められるデータセンターでの利用が想定されます。大きな電流が必要なかったり、消費電力が大きいという問題を解消した本発明の磁気メモリ素子を利用することで、エネルギーの効率的な使用が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-010092
発明の名称: 磁気メモリ素子
出願人／権利者: 国立大学法人信州大学
住所: 長野県松本市旭３丁目１−１
公開番号: 特開2020-120001
登録番号: 特許第7300666号

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