高性能パワーデバイス向け、最先端の半導体基板製造技術

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

広いバンドギャップと高いキャリア移動度を持つ半導体基板の製造技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、広いバンドギャップと高いキャリア移動度を持つ半導体基板の製造方法に関して詳述しています。特に酸化ガリウム半導体層の形成工程と窒化ガリウム結晶の除去工程を有する半導体基板の製造方法を提供しています。基板の形成には、電子ビーム蒸着、MBE、CVD、HVPE、ALD、スパッタリングといった多様な方法が用いられ、窒化ガリウム結晶の除去工程は、ドライエッチング、機械研磨、化学機械研磨などのステップが含まれます。また、基板の少なくとも一部が導電性または絶縁性を有すること、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物など、種々の材料が選択可能であることも特徴的です。

AIによる特許活用案

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高性能パワーデバイスの製造

本特許の製造方法を用いて作成された半導体基板は、広いバンドギャップと高いキャリア移動度を持つため、ハイブリッド車や電気自動車などの高性能パワーデバイスの製造に活用できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-243227
発明の名称: 半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2020-105038
登録番号: 特許第7191322号

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