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高周波対応の新世代チップインダクタ

国立大学法人信州大学

長野県松本市旭3丁目1−1

この技術でできること

高周波帯での表皮効果と近接効果を抑制し、抵抗を低減させるチップインダクタ

技術の特徴

本特許は、電子回路に用いられるチップインダクタに関するもので、特に小型電子機器の通信部品や電源部品に使われます。近年の小型電子機器の多機能化、高機能化に伴い、部品の点数が増加し、個々の部品で発生する損失が小型電子機器全体の効率に大きく影響しています。本特許技術では、コイル導体の最外層の一巻分について、隣接する配線体の表面とは反対面上に、全域が非磁性絶縁体層で覆われており、これによりインダクタのインダクタンスが高く、抵抗が低い特性を持つことが可能になります。これにより、高周波帯での抵抗が大きくなる表皮効果と近接効果を抑制し、高周波帯においてチップインダクタのQ値を増大させ、抵抗を低減させることが可能となります。

関連キーワード

チップインダクタ高周波非磁性絶縁体層抵抗低減表皮効果

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造通信機器製造電源部品製造

小型電子機器の性能向上

本特許を活用することで、小型電子機器の通信部品や電源部品の性能を向上させることが可能となります。特に高周波帯での性能を向上させることができ、多機能化、高機能化が進む小型電子機器の効率を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2018-238097
発明の名称
チップインダクタ
出願人/権利者
国立大学法人信州大学
住所
長野県松本市旭3丁目1−1
公開番号
特開2020-102482
登録番号
特許第7182766号
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