暗電流の発生を抑制した革新的な固体撮像装置

国立大学法人静岡大学

静岡県浜松市中央区城北３－５－１

この技術でできること

高性能な画像撮影と優れた電荷制御を実現する固体撮像装置

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、リセットゲート電極にオフ電圧を印加した状態で、ゲート絶縁膜とリセット素子界面層の界面電位が0Vとなるように設定されています。これにより、ゲート絶縁膜の直下に中性領域を残す不純物密度にリセット素子界面層が設定され、リセットトランジスタにおける暗電流の発生を抑制します。さらに、基体領域には高不純物密度で第1導電型の半導体領域が設定され、この領域は素子分離領域の一部を構成します。これにより、素子分離領域における暗電流の発生も抑制します。また、各画素には基体領域に埋め込まれた、基体領域よりも高不純物密度で第1導電型のコンタクト領域と、そのコンタクト領域に接続された接地電位の表面配線が設けられています。

AIによる特許活用案

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高性能カメラの開発

本特許を活用して、暗電流の発生を抑制した高性能なカメラを開発することが可能です。これにより、低照度環境でもクリアな画像が撮影でき、ユーザーにとって価値ある製品となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-213011
発明の名称: 固体撮像装置
出願人／権利者: 国立大学法人静岡大学
住所: 静岡県浜松市中央区城北３－５－１
公開番号: 特開2020-080377
登録番号: 特許第7340218号

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