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革新的なスピンテクスチャ制御装置とメモリ装置

国立大学法人信州大学

長野県松本市旭3丁目1−1

この技術でできること

電力消費を削減し、長時間の安定した動作を可能にするスピンテクスチャ制御装置とメモリ装置の特許です。

技術の特徴

本特許は、スピンテクスチャ制御装置とその制御方法、およびスピンテクスチャの状態に対応したデータを記憶するメモリ装置に関する新技術です。磁性体部が磁性体部と一緒に構成され、その幅が10nm以上20nm以下であることが特徴です。この技術により、電力消費を大幅に削減しながら、デバイスの安定した長時間動作を可能にします。さらに、スピンテクスチャの状態に対応したデータを記憶するメモリ装置を提供することで、高密度メモリデバイスとしての利用が期待されます。

関連キーワード

スピンテクスチャ制御装置メモリ装置電力消費削減高密度メモリデバイス

AIによる特許活用案

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電力消費を削減したデバイスの開発

本特許の技術を活用することにより、電力消費を大幅に削減しながら、長時間安定して動作するデバイスを開発することが可能です。これにより、エネルギー効率の改善と、デバイスの寿命の延長を実現できます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号
特願2019-143322
発明の名称
スピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、およびメモリ装置
出願人/権利者
国立大学法人信州大学
住所
長野県松本市旭3丁目1−1
公開番号
特開2020-077841
登録番号
特許第7318916号
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