高耐圧・低消費電力の次世代半導体製造装置

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

高品質なc-Ga.O単結晶を製造する装置で、ハライド気相成長法を用い、より高品質で汚染の少ない製品を製造可能。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体素子に適用可能なc-Ga.O単結晶の製造装置に関する。この装置は、ハライド気相成長法を用いて、高品質なc-Ga.O単結晶を製造する。反応炉と、反応炉を加熱するヒータを備えており、ガリウムのハロゲン化物と酸素原料を反応させることで、基板上にc-Ga.Oを成長させる。さらに、反応炉はガリウム原料供給源、酸素原料供給源、ガス排出部、基板ホルダも備えており、ガリウム金属を内部に設置することが可能。ハログゲンガスまたはハロゲン化水素ガスがガリウム原料供給源に供給され、ガリウム金属からガリウムのハロゲン化物を生成する。

AIによる特許活用案

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次世代半導体の製造

本特許の技術を用いて、高耐圧・低消費電力の半導体素子を製造できる。これにより、エネルギー効率の高い電子機器の製造が可能となる。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-175454
発明の名称: α－Ｇａ２Ｏ３単結晶の製造装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2020-073424
登録番号: 特許第6842128号

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