高性能半導体装置の製造法を革新する

国立大学法人　筑波大学

茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階

この技術でできること

本特許は、金属酸化物層とGe層を有し、非品質の材料からなる基材を使用した新たな半導体装置の製造方法について記述しています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、非品質の基材と、基材の一面に形成されたGeを主成分とする第一結晶粒子を複数含む下地層、そして機能層を有する半導体装置の製造法について述べています。特に、第二結晶粒子の平均粒径が1nm以上であることが特徴的です。また、第二結晶粒子は、In、A1、Pのうち少なくとも一つを主成分として含んでいます。この製造法は、基材の大きさに関わらず、低コストで形成することが可能であり、そして光電変換装置に適した品質を有する半導体装置を提供することが可能です。

AIによる特許活用案

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高性能な半導体装置の製造

本特許の製造方法を用いれば、高性能な半導体装置を低コストで製造することが可能です。これにより、より競争力のある製品を市場に提供することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-164916
発明の名称: 半導体装置とその製造方法および光電変換装置
出願人／権利者: 国立大学法人　筑波大学
住所: 茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階
公開番号: 特開2020-038890
登録番号: 特許第7232499号

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