革新的なダイヤモンド電界効果トランジスタ

学校法人早稲田大学

東京都新宿区戸塚町一丁目104番地

この技術でできること

高耐圧・高電流対応のダイヤモンド電界効果トランジスタとその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法に関して詳述します。特許内容によれば、このトランジスタは、ダイヤモンド基板の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁層の上に配置されたゲート電極を持つ。この構成により、高電圧、大電流に耐えうる特性を有します。また、特許には製造方法も詳述されており、ダイヤモンド電界効果トランジスタの製造過程において水素終端して水素化層を形成し、その上に重畳層を形成する工程が含まれています。これにより、高耐圧・高電流対応のダイヤモンド電界効果トランジスタが効率良く製造できることが特徴です。

AIによる特許活用案

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高性能電子機器の製造

高耐圧・高電流対応のダイヤモンド電界効果トランジスタを活用し、高性能な電子機器の製造が可能になります。特に、大電力を必要とする機器において、その性能を大幅に向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-161761
発明の名称: ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
出願人／権利者: 学校法人早稲田大学
住所: 東京都新宿区戸塚町一丁目104番地
公開番号: 特開2020-035917
登録番号: 特許第7084030号

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