ダイヤモンドの新時代！究極の量子ビット素子構造

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構

千葉県千葉市稲毛区穴川４－９－１

この技術でできること

ダイヤモンド単結晶内に形成された窒素一空孔複合欠陥を持つ、高性能な量子ビット素子構造の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、ダイヤモンド単結晶内に形成された窒素一空孔複合欠陥を持つ量子ビット素子構造の製造方法を提供します。これは、窒素原子イオンと空孔とが対をなす複合欠陥を備えたダイヤモンド単結晶を使用します。少なくとも3つ以上の窒素原子イオンと1つ以上の炭素原子イオンを包含する化合物が使用され、これにより多量子ビットとして作用します。その後、ダイヤモンド単結晶は特定の条件下でアニーリングされます。これにより、ダイヤモンド単結晶内に形成された窒素一空孔複合欠陥が電子スピン状態を炭素の核スピンに移すことにより、量子状態を保持する量子メモリとして機能します。この新たな製造方法により、量子コンピューティングのパワーを大幅に向上させることが可能となります。

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量子コンピューティングの進化

高性能な量子ビット素子構造を製造することで、量子コンピューティングの処理速度や精度を大幅に向上させることが可能となります。これにより、従来のコンピューティング能力をはるかに超えた性能を実現します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-155987
発明の名称: ダイヤモンド単結晶およびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
住所: 千葉県千葉市稲毛区穴川４－９－１
公開番号: 特開2020-029386
登録番号: 特許第7070904号

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