高性能な半導体装置とその製造方法

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

移動度が高く絶縁耐圧に優れた半導体装置およびその製造方法について記述されています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、高周波のパワーデバイスが急速に必要とされている現代に対応するための新たな半導体装置とその製造方法について説明しています。具体的には、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を備えた半導体装置が提案されています。さらに、窒化ガリウム結晶基板上に酸化ガリウム半導体層を形成する工程も含まれています。これにより、半導体装置の性能を向上させることが可能です。特に、酸化ガリウム半導体層の厚さは2 nm以上30 nm以下で、その形成工程では水、アンモニア、発酸、塩酸、硝酸、リン酸の少なくとも1つを使用して表面処理するステップを含んでいます。これにより、半導体装置の性能向上だけでなく、製造プロセスの効率化も図ることができます。

AIによる特許活用案

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高性能な半導体装置の製造

本特許に記載された方法を用いて、高周波のパワーデバイスに対応可能な高性能な半導体装置を製造することができます。これにより、より高性能な電子機器の製造が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-144691
発明の名称: 半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2020-021829
登録番号: 特許第7160318号

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