高性能半導体装置の新たな生産法

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

新たな製造方法により広バンドギャップと高キャリア移動度を持つ半導体装置の生産が可能になります。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ガリウム結晶基板を用いた半導体装置の製造方法に関するものです。この製造方法は、窒化ガリウム結晶基板上に酸化ガリウム半導体層を形成し、その上に絶縁体層を形成する工程を含みます。さらに、酸化ガリウムにドーパントを注入して第2の酸化ガリウム半導体層を形成し、その上に剛性を有する基体を被着形成します。また、酸化ガリウム半導体層および第1の酸化ガリウム半導体層形成工程は、硫酸、過酸化水素水、アンモニア、那酸、塩酸、硝酸、リン酸、水酸化カリウムからなる群から選択された少なくとも1つを使用して表面処理を施すステップを含みます。これにより、バンドギャップが広くキャリア移動度の高い半導体装置の製造が可能になります。

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この新たな製造方法を活用することで、広バンドギャップと高キャリア移動度を持つ半導体装置を製造することが可能になります。これにより、高性能のデバイスを生産することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-144690
発明の名称: 半導体装置の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2020-021828
登録番号: 特許第7162833号

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