高精度でカーボンナノチューブを成長させる新技術

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

本特許は、特定のケミカルを使用して、基板上にカーボンナノチューブを形成する高精度な方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、基板上にカーボンナノチューブを形成する手法が詳細に説明されています。特定のシリカ粒子とガスを使用して、基板上にカーボンナノチューブを成長させるこの方法は、高精度であり、簡便さを兼ね備えています。特に、熱処理ステップにより、精密に制御された環境下でカーボンナノチューブの成長が可能となります。また、異なる種類の基板、例えばシリコン基板、化合物半導体基板、金属基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、セラミック基板等の上にも成長させることが可能です。これにより、電子デバイスや分子ナノセンシングなどのナノデバイスへの適用が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業ナノテクノロジー半導体製造業

高精度電子デバイスの開発

この技術を使用して、高精度の電子デバイスを開発することが可能です。基板上に精密にカーボンナノチューブを形成することで、電子デバイスの性能向上や新たな機能の追加が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-127968
発明の名称: カーボンナノチューブを成長させる方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2020-007177
登録番号: 特許第7080477号

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