革新的な半導体基板とその製造方法

国立研究開発法人情報通信研究機構

東京都小金井市貫井北町４－２－１

この技術でできること

除去可能なアパップ層とエピタキシャル膜を含む半導体基板とその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、S i を含まない材料を母材とし、S i と反応するエッチングガスに含まれるフッ素と炭素を含む除去可能なアパップ層が表面に形成された半導体基板に関するものです。また、S i を含まない第 1 の材料を母材とする下地部材と、S i を含まない第 2 の材料を母材とする、前記下地部材上のエピタキシャル膜を含む結晶積層構造体や半導体デバイスにも関連しています。これにより、従来の問題であったS i 化合物の付着や不純物ドナーとしての機能を低減し、半導体プロセスの効率を向上させることが可能になりました。また、エピタキシャル膜の形成や半導体デバイスの製造方法についても詳細に記載されています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業電気・電子工学

高性能半導体デバイスの開発

本特許の技術は、効率的な半導体デバイスの製造に活用することができます。特に、S i の濃度を制御することで、半導体デバイスの性能を最大限に引き出すことが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-115608
発明の名称: 半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス
出願人／権利者: 国立研究開発法人情報通信研究機構
住所: 東京都小金井市貫井北町４－２－１
公開番号: 特開2019-220536
登録番号: 特許第7325073号

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