室温でも安定な薄膜形成・記憶素子技術

国立大学法人千葉大学

千葉県千葉市稲毛区弥生町１－３３

この技術でできること

真空蒸着法を改良し、室温環境でも形状が安定した単分子膜の薄膜形成及び記憶素子を提供する技術。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、真空蒸着法を用いて、金属基板上に有機分子の膜を形成する技術を改良したものです。これにより、室温環境でも形状が安定した単分子膜の薄膜を形成することが可能となります。また、この薄膜を活用した記憶素子も提供します。具体的には、磁性材料の表面にd電子軌道を形成し、その上に共役分子の薄膜を積層することで、スイッチング素子の役割を果たします。これにより、デバイスの性能を向上させることが期待されます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業ナノテクノロジー半導体製造業

高性能デバイスの開発

本技術を利用することで、室温でも安定した形状を保つことができる薄膜を作成し、その薄膜を用いた高性能の電子デバイスを開発することが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-107375
発明の名称: 薄膜形成方法
出願人／権利者: 国立大学法人千葉大学
住所: 千葉県千葉市稲毛区弥生町１－３３
公開番号: 特開2019-210511
登録番号: 特許第7208609号

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