低速陽電子パルスビーム装置で高精度な材料評価を実現
国立研究開発法人産業技術総合研究所
茨城県つくば市梅園１－１－１ つくば中央第１（産総研内）
この技術でできること
ニッケルメッシュを使用した低速陽電子パルスビーム装置の新技術
相談したいこと
技術の特徴
本発明は、ニッケルメッシュを減速材として使用し、材料評価の精度を向上させる低速陽電子パルスビーム装置に関するものです。低速陽電子を利用することで、材料内部の欠陥を精密に検出でき、特に半導体材料や金属の評価に応用されます。
関連キーワード
AIによる特許活用案
半導体材料の評価への応用
低速陽電子パルスビームを用いて、半導体材料内部の欠陥を高精度で検出する技術。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。
権利概要
- 出願番号
- 特願2004-253129
- 発明の名称
- 低速陽電子パルスビーム装置
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 住所
- 茨城県つくば市梅園１－１－１ つくば中央第１（産総研内）
- 公開番号
- 特開2006-071365
- 登録番号
- 特許第4340773号