革新的な太陽電池技術：ハロゲン元素をドープしたn型SnS半導体材料

国立大学法人山梨大学

山梨県甲府市武田４－４－３７

この技術でできること

有毒な希少元素を使用しない、ハロゲン元素をドープした新しいn型SnS半導体材料の提供。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、希少元素や有毒元素を含む従来の半導体材料の問題を解決するための新しいn型SnS半導体材料に関するものです。この新材料は、ハロゲン元素をドープすることで作成され、太陽電池の性能を向上させることが期待されます。特に、硫化スズ(SnS)は非毒性であり、その電子移動度と正孔移動度は非常に大きいため、光吸収係数も高く、太陽電池の変換効率を向上させる可能性があります。また、この新しい半導体材料は、希少元素や有毒元素を使用せずに作成することができるため、コスト効率と環境への影響を大幅に改善することが可能です。

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この新しいn型SnS半導体材料を使用することで、太陽電池の変換効率を改善することが可能です。特に、硫化スズの高い電子移動度と正孔移動度、および高い光吸収係数を活用することで、太陽電池の性能を大幅に向上させることが期待されます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-066373
発明の名称: ｎ型ＢｒドープＳｎＳ半導体の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人山梨大学
住所: 山梨県甲府市武田４－４－３７
公開番号: 特開2019-178012
登録番号: 特許第7169508号

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