高精度半導体技術の新たな領域を切り開く

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

半導体装置とその製造方法に関する特許技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体装置とその製造方法について説明しています。半導体層の少なくとも一方の境界部はGaAs単結晶と同じ結晶格子を有します。界面層の少なくとも一方は一定範囲の体積密度のSiを有し、金属の拡散層の厚さは3nm以下です。さらに各界面層の厚さは一定範囲内に規定されています。また、電極は特定の金属群やそれらを含む化合物から選ばれます。製造方法は、エッチングレートの高い犠牲層形成、界面層形成、半導体層形成、電極形成、サポート基板貼り付けなどの工程を含みます。これにより、高性能で精度の高い半導体装置の製造が可能となります。

AIによる特許活用案

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高性能半導体の製造

本特許の技術を利用することで、高品質な半導体を製造する。その結果、電子機器の性能向上や、独自性の高い製品の開発が可能となる。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-037337
発明の名称: 半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2019-153672
登録番号: 特許第7002126号

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