還元処理を用いた高効率の半導体製造技術
国立研究開発法人産業技術総合研究所
茨城県つくば市梅園１－１－１ つくば中央第１（産総研内）
この技術でできること
酸化膜の還元処理を施し、金属導電領域を最適化する新技術
相談したいこと
技術の特徴
本発明は、酸化膜の還元処理を行い、金属導電領域の表面を清浄化することで、半導体装置の性能を向上させる製造方法に関するものです。特に、Cu合金を使用し、酸素分圧と還元温度を調整して効率的な酸化膜の除去を実現します。
関連キーワード
AIによる特許活用案
半導体製造プロセスへの応用
酸化膜の還元処理を利用して、半導体製造プロセスの効率を向上させる技術。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2005-026400
- 発明の名称
- 半導体装置の製造方法
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 住所
- 茨城県つくば市梅園１－１－１ つくば中央第１（産総研内）
- 公開番号
- 特開2006-216673
- 登録番号
- 特許第4621888号