革新的な低コスト、高性能超電導体の開発

東京都公立大学法人

東京都八王子市南大沢１－１

この技術でできること

本特許は、SnPn (PnはP、As、Sb、Bi)層を持つ新たな超電導体を提供し、その製造方法を明示しています。

相談したいこと

技術の特徴

本発明により、十分な超電導性を示すと共に、低コストで加工の簡便性も備えた新型の超電導体が提供されます。これは、化学式 SnxMy (式中 Mは、P, As, Sb及びBiから選択される元素を示し、x及びyは、x : yが1 : 0.5から1.5の関係にある)で表される化合物から成る超電導層を有するもので、この超電導層は、空間的に離隔させるスペーサー層と共に積層されています。スペーサー層は、Na, Li, Sr, Eu、Sn、As、P、Sb及びKからなる群から選択される1種以上を含む成分で構成されています。本発明の超電導体は、高温・強磁場下でも超電導性を発揮し、既存の超電導体と比較して優れた性能を持つとともに、製造コストと加工性に優れています。

AIによる特許活用案

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効率的なエネルギー蓄積システムの開発

本発明の超電導体は、電力ロスが極めて少ないため、エネルギー蓄積システムの開発に利用できます。これにより、より効率的で、持続可能なエネルギー蓄積システムの開発が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-031880
発明の名称: 超電導体
出願人／権利者: 東京都公立大学法人
住所: 東京都八王子市南大沢１－１
公開番号: 特開2019-147973
登録番号: 特許第7084022号

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