パワーデバイスの未来、ダイヤモンド半導体を活用したMIS型半導体装置

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

ダイヤモンド半導体を用い、高性能なMIS型半導体装置とその製造方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、ダイヤモンド半導体を用いたMIS型半導体装置およびその製造方法に関するもので、高性能インバーターを構成する上でのコア素子として注目されています。ダイヤモンド半導体は、広いバンドギャップエネルギー、低い比誘電率、高い絶縁破壊電界強度、高いキャリア飽和速度、高い熱伝導率、高いキャリア移動度など、いくつかの際立った物理的特性を有しています。これらの特性により、大電力動作、高速・高周波動作、高い熱限界を示す電子デバイスを実現することが可能となります。また、本発明における製造方法では、ダイヤモンドを形成する工程、ダイヤモンド表面を終端処理する工程などが含まれており、高品質な半導体装置の製造が可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業自動車産業

高性能パワーデバイスの開発

本発明のMIS型半導体装置を利用することで、大電力動作や高速・高周波動作を可能とする高性能なパワーデバイスを開発することが可能です。これにより、エネルギー効率の高い電子機器の製造が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-138093
発明の名称: ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2019-125771
登録番号: 特許第7101980号

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