高効率メモリ制御技術を持つ電子回路

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

メモリセルの揮発性の有無による動作と、それを制御する電子回路の特許

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、データを揮発的に記憶する双安定回路と、双安定回路に記憶されたデータを不揮発的にストアする不揮発性素子を備えたメモリセルを用いた電子回路に関するものです。電子回路は、メモリセルを内包する複数のブロックと制御部から構成され、制御部はブロック内のメモリセルの揮発性に基づく動作を制御します。特に、制御部は揮発的に書き換えられていないメモリセルを含むブロックを特定し、これをシャットダウンする機能を持ちます。これにより、データの振る舞いを効率的に制御し、電力消費を抑制することが可能となります。また、複数のブロックからのデータを同時に読み取ることも特徴の一つです。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業エレクトロニクスデータセンター

電力効率化の推進

この電子回路は、データセンターや大規模な計算装置など、大量のデータを扱うシステムにおいて、電力消費を抑制しつつ効率的なデータの読み書きを実現するための解決策として活用できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-230447
発明の名称: 電子回路
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: 特開2019-102111
登録番号: 特許第6993681号

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