高性能で効率的なSiC接合型電界効果トランジスタ

国立大学法人京都大学

京都府京都市左京区吉田本町

この技術でできること

高度に最適化されたSiC基板を用いた接合型電界効果トランジスタ

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、SiC基板を用いた接合型電界効果トランジスタの技術を提供します。ソース領域、埋込チャネル領域、ゲート領域などを適切に配置し、これら領域の不純物濃度や形成方向を最適化することで、高性能で効率的なトランジスタを実現します。さらに、このトランジスタは、nチャネル接合型電界効果トランジスタとpチャネル接合型電界効果トランジスタを組み合わせたSiC相補型接合型電界効果トランジスタとしても利用可能です。これにより、電子機器の性能向上と効率化を実現します。

AIによる特許活用案

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高性能電子機器の開発

本特許技術を活用して、高性能かつ効率的な電子機器を開発します。SiC基板を用いた接合型電界効果トランジスタの特性を最大限に活用し、従来の電子機器よりも高速で効率的な性能を実現します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-036440
発明の名称: ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ
出願人／権利者: 国立大学法人京都大学
住所: 京都府京都市左京区吉田本町
公開番号: 特開2019-091873
登録番号: 特許第7074320号

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