革新的な化合物半導体ウエハの加工方法

株式会社ハイシック

長崎県大村市桜馬場２丁目６０７番地４６

この技術でできること

従来の加工歪みを発生させず、化合物半導体の薄板化を可能にする新たなウエハ加工方法

相談したいこと

技術の特徴

本発明は化合物半導体ウエハの加工方法に関して、特にSiC（シリコンカーバイト）やGaN（ガリウムナイトライド）等の化合物半導体ウエハの加工方法について提供します。従来の加工方法ではウエハが反ってしまい均一な厚さが得られなかった問題や、加工歪みが発生してしまう問題を解決します。本発明では、第一原子と反応するエッチングガスから生成した高密度プラズマによりウェハの表面をエッチングし、その後エッチング後のウエハ表面の第二原子を含む残存粒子層を機械研磨により除去することで、化合物半導体ウエハの均一な薄板化と加工歪みの無い表面仕上げを可能にします。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業エレクトロニクス業界自動車業界

高品質な半導体デバイスの製造

本発明を用いることで、従来の加工歪みを発生させずに化合物半導体ウエハを薄板化することが可能となり、より高品質な半導体デバイスを製造することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-214861
発明の名称: 化合物半導体ウエハの加工方法
出願人／権利者: 株式会社ハイシック
住所: 長崎県大村市桜馬場２丁目６０７番地４６
公開番号: 特開2019-087642
登録番号: 特許第6570045号

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