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プラズモニクスの新世代: 高性能窒化チタン膜

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現1-2-1

この技術でできること

画期的なプラズモニクス特性を持つ窒化チタン膜の開発とその製造方法についての特許

技術の特徴

この特許は、プラズモニクス特性を持つ窒化チタン(TiN)膜の提供およびその製造方法に関するものです。該当のTiN膜は連続性があり、無孔で、表面粗さが10nm以下であることが特徴です。これにより、化学的及び機械的安定性が良好で、高い熱安定性を持つとともに、CMOSプロセスとの相性が良好であるという利点があります。また、本発明により、基板温度0℃~60℃の温度範囲で、堆積速度が0.3Å/s~100Å/sの範囲で成膜を行う製造方法が提供され、これにより、従来の製造方法の問題点が改善されます。

関連キーワード

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高性能プラズモニクスデバイスの開発

このプラズモニクス特性を持つ窒化チタン膜は、高性能なプラズモニクスデバイスの開発に利用できます。これにより、プラズモニクスデバイスの性能を大幅に向上させることが可能になります。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2017-216426
発明の名称
プラズモン特性を有する窒化チタン膜及びその製造方法
出願人/権利者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所
茨城県つくば市千現1-2-1
公開番号
特開2019-085629
登録番号
特許第7378755号
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