高度な単結晶製造技術で未来の材料開発をリードする
国立研究開発法人産業技術総合研究所
茨城県つくば市梅園１－１－１ つくば中央第１（産総研内）
この技術でできること
ダイヤモンド単結晶の成長を制御する新しいエピタキシャル成長法
相談したいこと
技術の特徴
本発明は、ダイヤモンド単結晶のエピタキシャル成長に関する技術であり、｛100｝面を優先的に成長させることで、結晶成長を一方向に進める方法です。複数回の成長工程を通じて高品質な単結晶を製造することが可能です。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高性能電子デバイスへの応用
単結晶技術を用いて、高性能かつ高耐久性の電子デバイスを製造する技術。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2005-153233
- 発明の名称
- 単結晶の製造方法
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 住所
- 茨城県つくば市梅園１－１－１ つくば中央第１（産総研内）
- 公開番号
- 特開2006-327862
- 登録番号
- 特許第4613314号