高性能なHEMT素子の製造方法 - 結晶高品質化と精度ドーピングの実現

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

本特許は、1 3族窒化物半導体を用いたHEMT素子とその製造方法について記述しています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、高品質な1 3族窒化物半導体を用いたHEMT素子の製造方法に関して詳述しています。特に、Ga N基板上に形成される縦型パワーデバイスにおいて、n型ドリフト層の炭素濃度の低減と、電子移動度の向上が必要であると指摘しています。また、本特許では、結晶のさらなる高品質化と、ドーピング技術の精度向上についても触れています。さらに、窒化物半導体と格子が整合する条件または擬似的に整合し得る条件の材料が下地として使用され、その下地の材料がG a Nであること、そして窒化物半導体は、貫通転位密度が1X10『〆/cm*一5X10リリンcmであることが記述されています。

AIによる特許活用案

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高性能HEMT素子の製造

本特許の技術を活用し、1 3族窒化物半導体を用いたHEMT素子を製造することが可能です。特に、Ga N基板上に形成される縦型パワーデバイスの製造において有効であり、n型ドリフト層の炭素濃度を低減し、電子移動度を向上させることが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-196889
発明の名称: ＨＥＭＴ
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: 特開2019-041113
登録番号: 特許第6952344号

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