高精度パターニング！半導体の新次元

東京都公立大学法人

東京都八王子市南大沢１－１

この技術でできること

テルル化モリブデン薄膜に近接場光照射を行い、その構造変化を利用した半導体素子の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、レーザー加熱等の手法での空間分解能の限界を超え、2次元内で微細かつ精密にパターニングが可能な半導体素子の製造方法を提供します。従来の方法では回折限界によりパターニングの精度が限られていましたが、本発明ではテルル化モリブデン（MoTe2）の層状2次元材料に近接場光照射を行い、構造変化を促すことでより高精度なパターニングを可能にしました。この技術により、伝導相が異なる領域を自在にパターニングし、半導体素子の性能向上が期待できます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業光学業

高精度な半導体素子の製造

本特許の手法を用いることで、高精度なパターニングを実現し、より性能の高い半導体素子の製造が可能になります。これにより、産業機器や家電製品などに使用する半導体の性能向上が期待できます。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2017-160677
発明の名称: 半導体素子の製造方法
出願人／権利者: 東京都公立大学法人
住所: 東京都八王子市南大沢１－１
公開番号: 特開2019-040964
登録番号: 特許第7072204号

登録情報の修正申請