暗電流抑制の新時代 - 高感度な光電変換素子の製造方法

日本放送協会

この技術でできること

結晶セレンの結晶性や結晶配向性を大きく改善し、暗電流を低減する光電変換素子の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、結晶セレンを用いた光電変換素子の製造方法を提供します。結晶セレンの結晶性や結晶配向性を大きく改善し、結晶セレン内で発生する暗電流を低減することが可能となります。具体的には、テルル膜を下地層として0.1nm以上、かつ3nm以下の厚みに形成し、その上に結晶セレンからなる光電変換膜を形成します。テルル膜の作成には蒸着法を用い、蒸着源の温度を450℃以上とし、テルル膜の結晶性および結晶配向性を良好にします。これにより、結晶セレン膜の結晶性、結晶配向性が向上し、撮像素子の感度向上や暗電流の低減を実現します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-158893
発明の名称: 光電変換素子の製造方法
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2019-036693
登録番号: 特許第6937189号

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