室温で操作可能な低消費電力磁気メモリ素子

地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所

神奈川県川崎市高津区坂戸３－２－１　ＫＳＰビル西棟６１４

この技術でできること

本特許は、室温で電場による情報の書き込みおよび読み取りが可能な磁気メモリ素子の提供を目指します。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、磁気メモリ素子の情報の書き込み及び読み取り方法に関するもので、特に、ベロブスカイト構造を有し、擬立方表記で格子定数が3.90一3.97入である化合物からなる基板と、基板上に配置された下部電極と、下部電極上に配置された特定の化合物からなる厚さが200nm一1000nmである薄膜と、薄膜上に配置された上部電極とを含む磁気メモリ素子を提供します。このメモリ素子は、磁化の反転によって情報を書き込み、磁化の反転を検出することで情報を読み取ることが可能です。特に、室温でも電場を印加することによる磁化の反転が可能であり、これにより大幅な消費電力の低下が期待できます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業データストレージ業界半導体産業

高効率なデータセンターの構築

この磁気メモリ素子の活用により、データセンターの消費電力を大幅に削減することが可能です。また、室温での操作が可能なため、冷却設備のコストも削減できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-124316
発明の名称: 磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法
出願人／権利者: 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
住所: 神奈川県川崎市高津区坂戸３－２－１　ＫＳＰビル西棟６１４
公開番号: 特開2019-009304
登録番号: 特許第6902783号

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