高度なデータ記憶を可能にする「先進磁気記憶装置」

国立大学法人三重大学

三重県津市栗真町屋町１５７７

この技術でできること

磁化方向の制御を通じて情報の書き込み・非書き込みを制御する磁気記憶装置

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、異なる電気抵抗を利用した情報の記憶と磁化方向の制御による情報の書き込み・非書き込み制御を可能にする磁気記憶装置に関するものです。装置は、異なる領域と層を持つ磁性素子と、それに単極性の電圧を印加する制御部から成り立っています。これにより、磁性層間の電気抵抗の差を基に情報を記憶し、制御部は電圧の大きさ及び時間を制御して磁気素子への情報の書き込み・非書き込みを制御します。これらの特性により、本装置はデータ記憶の効率と精度を大幅に向上させます。

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高性能なデータセンターの構築

本装置の高度なデータ記憶機能を活用し、大量のデータを効率的に、かつ高精度に記憶するデータセンターの構築が可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2017-120326
発明の名称: 磁気記憶装置
出願人／権利者: 国立大学法人三重大学
住所: 三重県津市栗真町屋町１５７７
公開番号: 特開2019-004124
登録番号: 特許第7055319号

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