高性能磁気ヘテロ接合素子 - 新世代の電子機器をリード

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

強磁性層と非磁性層を活用した磁気ヘテロ接合素子で、垂直磁化層と界面結晶磁気異方性定数（Ks）が0.78mJ/m^2を超える特性を有します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、強磁性層と非磁性層を活用する磁気ヘテロ接合素子に関するものです。この素子は、少なくとも一方の強磁性層が鉄を含有する強磁性材料で構成されています。非磁性層はZnSe、ZnS、Cu (I ni-yGa,) Sez (0≤y≤1), Ag (Ini-,Ga.) Sez: (0≤y≤1)、AgInSからなる化合物半導体から構成されています。さらに、この接合素子の特徴は、第1または第2の強磁性層と非磁性層との接合界面における界面結晶磁気異方性定数(Ks)が0.78mJ/m^2を超え、少なくとも一方が垂直磁化層であることです。これにより、高性能な磁気メモリやスピンロジック素子を実現することが可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業データストレージ業界

高性能磁気メモリの開発

本特許の磁気ヘテロ接合素子は、高い界面結晶磁気異方性定数を持つため、磁気メモリの性能を飛躍的に向上させることが可能です。これにより、高速で大容量のデータを保存・処理できる製品を開発することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-075180
発明の名称: 面直磁化強磁性半導体ヘテロ接合素子、およびこれを用いた磁気記憶装置並びにスピンロジック素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2018-190966
登録番号: 特許第7127770号

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