高性能半導体装置の製造方法：ランタンフッ化物を活用した革新的な解決策

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

本特許は、ランタンフッ化物とGaNなどの半導体を活用した高性能MIS型半導体装置の製造方法について述べています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ゲート絶縁膜と半導体層の間で発生する界面酸化を抑制し、電流駆動能力を向上させるための新たなMIS型半導体装置の製造法について説明しています。特に、ゲート絶縁体層はランタンフッ化物を含み、半導体層はGaNを含むとされています。また、絶縁体層は真空蒸着法により形成され、その際の温度は200℃以上500℃以下であるとされています。これにより、高性能なパワー半導体装置の需要に対応するため、高周波・高電圧用途に適したMIS型半導体装置が製造可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業エネルギー業界

高性能パワー半導体装置の開発

本特許の技術を用いて、高電圧用途に適した高性能パワー半導体装置を開発することが可能です。特に、電気自動車や再生可能エネルギー関連の機器など、高性能な半導体を必要とする分野での利用が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2017-093745
発明の名称: ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2018-190876
登録番号: 特許第6955748号

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