高性能で省エネなMIS型半導体装置の製造

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

絶縁膜の誘電率が高く水素の透過率が低いMIS型半導体装置の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、MIS型半導体装置およびその製造方法に関するもので、特に絶縁膜の誘電率が高く水素透過率が低いMIS型半導体装置について詳述しています。基本的な製造工程は、まず半導体基板上にCeFを含む絶縁体層を形成します。次に、この絶縁体層上に導電体層を形成します。その後、室素ガスを用いた熱処理が行われます。さらに、導電体層形成後には窒素ガスと水素ガスの混合ガスを用いた熱処理が実施されます。この製造方法により、MIS型半導体装置の高性能化と消費電力の削減が図られます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造電子機器コンピュータハードウェア

高性能な半導体製品の製造

本特許の技術を活用し、消費電力を削減しつつ高効率の半導体製品を製造することができます。特に、電子機器やコンピュータハードウェアの製造において、省エネ化と高性能化が求められる現代において大いに役立つでしょう。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2017-079420
発明の名称: ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2018-182058
登録番号: 特許第6941346号

登録情報の修正申請