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次世代の照明体験を提供する半導体発光素子

国立研究開発法人情報通信研究機構

東京都小金井市貫井北町4-2-1

この技術でできること

本技術は、半導体発光素子とその製造方法、及びそれを利用した発光モジュールに関するものです。

技術の特徴

本発明は、半導体発光素子とその製造方法に関するもので、基板の裏面に凹凸構造を形成することで、半導体発光素子からの深紫外光の取り出し効率を向上させます。この半導体発光素子は、n型半導体層とp型半導体層を含み、これらの半導体層には転位欠陥が含まれます。さらに、半導体発光素子から放射される深紫外光に対して透明な液体を封止するパッケージを備えています。このパッケージは、半導体発光素子と液体を収容し、ポンプと配管を通じて液体を循環させることができます。この構造により、半導体発光素子からの光の取り出し効率が大幅に向上します。

関連キーワード

半導体発光素子深紫外光光取り出し効率転位欠陥光源

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半導体発光素子の高光取り出し効率を利用して、より省エネルギーで明るい照明装置を開発することが可能です。これは、家庭用照明から産業用照明まで幅広く活用できます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2017-071728
発明の名称
半導体発光素子及び発光モジュール
出願人/権利者
国立研究開発法人情報通信研究機構
住所
東京都小金井市貫井北町4-2-1
公開番号
特開2018-174238
登録番号
特許第7050270号
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