光吸収体として優れた性能を持つ窒化銅半導体の製造法

国立大学法人東京工業大学

この技術でできること

低環境負荷な窒化銅半導体を用いた薄膜太陽電池の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は窒化銅半導体およびその製造方法について説明しています。太陽電池の光吸収体として有用性が注目されている窒化銅半導体は、毒性を持たず、ありふれた元素のみで構成されていることが特徴です。窒化銅半導体を用いた薄膜太陽電池は、既存の半導体材料（CdTeやCIGSなど）と比較して環境負荷が低く、高い発電効率が期待できます。特に、窒化銅半導体を用いたpn接合素子は、バンドの不連続性がないため、発電効率がさらに向上します。本特許では、高品質な窒化銅半導体の製造法について詳しく説明しています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 エネルギー電子部品・半導体環境・リサイクル

エコフレンドリーな太陽電池の開発

本特許に基づき、環境負荷の低い窒化銅半導体を用いた薄膜太陽電池を開発することが可能です。これにより、エコフレンドリーな太陽電池の製造と、その市場への参入が可能となります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2017-041774
発明の名称: 窒化銅半導体およびその製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人東京工業大学
住所: 国立大学法人東京工業大学
公開番号: 特開2018-148031
登録番号: 特許第6951734号

登録情報の修正申請