次世代の強磁性磁気抵抗素子

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

強磁性薄膜を持つ磁気抵抗素子と、それを用いたデバイスに関する特許です。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、大口径のSi単結晶基板上に強磁性薄膜の(001)面をエピタキシャル成長させた単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイスに関するものです。強磁性薄膜は、Co基ホイスラー合金を使用し、その構成は特定の元素群から選ばれた少なくとも一種を含むものと定義されています。そして、詳細な膜厚の範囲が各層ごとに規定されています。磁気抵抗比は20%以上、抵抗変化面積積(ARA)は5mΩz㎡以上であることが特徴です。この磁気抵抗素子を使用したデバイスは、記憶素子上で使用される読み出しヘッド、磁界センサ、スピン電子回路、およびトンネル磁気抵抗(TMR)デバイスなどに応用可能です。

AIによる特許活用案

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高性能な記憶素子の開発

この特許の磁気抵抗素子は、その強磁性と高い磁気抵抗比により、記憶素子の性能を向上させる可能性があります。特に、読み出しヘッドや磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の記録素子など、磁界を利用したデバイスにおいて有用です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-041147
発明の名称: 単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2018-148006
登録番号: 特許第6986729号

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