ダイヤモンドの新次元！半導体膜形成技術

国立大学法人九州工業大学

福岡県北九州市戸畑区仙水町１番１号

この技術でできること

ダイヤモンド、窒化ガリウムまたはシリコンカーバイドの半導体膜を高精度に形成する新たな方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ダイヤモンド、窒化ガリウムまたはシリコンカーバイドの半導体膜を高精度に形成するための新たな技術を紹介します。従来の半導体膜形成プロセスでは、基材表面の損傷やパターニングの精度低下が問題となっていました。本発明では、マスキング材として熱安定性を有し基材から容易に除去可能なSiCNO膜を用い、化学蒸着によるパターニングを行うことで、これらの問題を解決します。また、適切な原子数比を選択することで、半導体膜の品質とパターニングの精度をさらに向上させることが可能です。これにより、半導体デバイスの微細化や高精度化を進めることが可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造化学工業

高精度半導体製造のための新技術導入

本技術を半導体製造プロセスに導入することで、微細化や高精度化が求められる半導体デバイスの製造において、基材表面の損傷を防ぎながら高精度なパターニングを行うことが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-039028
発明の名称: 半導体膜形成方法
出願人／権利者: 国立大学法人九州工業大学
住所: 福岡県北九州市戸畑区仙水町１番１号
公開番号: 特開2018-147946
登録番号: 特許第6767052号

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