先進的な半導体製造法を活用した高性能電子デバイス

国立大学法人　筑波大学

茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階

この技術でできること

この特許は、太陽電池や薄膜トランジスタなどの導体装置とその製造方法に関するもので、特に半導体の結晶化過程を改良することで性能を向上させる技術を提供しています。

相談したいこと

技術の特徴

本発明では、SiやGeなどの半導体膜の製造と結晶化の過程において、特定の条件下で加熱することで品質を向上させる手法を詳述しています。具体的には、加熱温度を350度以上800度以下とすることで、半導体膜の性能を大幅に向上させることが可能となっています。また、本発明は、半導体膜の製造方法として、転写法や化学気相成長法、フラッシュランプアニール、金属誘導固相成長法などを採用しています。これらの技術を組み合わせることで、高性能な半導体膜を低コストで製造することが可能となります。

AIによる特許活用案

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高性能太陽電池の開発

本発明の半導体製造技術を活用し、より効率的なエネルギー変換を実現する太陽電池の開発が可能です。特に、半導体膜の品質を向上させることで、太陽電池の性能を大幅に上げることが期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-037505
発明の名称: 半導体装置の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人　筑波大学
住所: 茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階
公開番号: 特開2018-142672
登録番号: 特許第6985711号

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